FAQ
::
Szukaj
::
Użytkownicy
::
Grupy
::
Galerie
::
Profil
::
Zaloguj się, by sprawdzić wiadomości
::
Zaloguj
::
Rejestracja
Forum Stowarzyszenie "Rowling" Strona Główna
->
Tematyka forum
Napisz odpowiedź
Użytkownik
Temat
Treść wiadomości
Emotikony
Więcej Ikon
Kolor:
Domyślny
Ciemnoczerwony
Czerwony
Pomarańćzowy
Brązowy
Żółty
Zielony
Oliwkowy
Błękitny
Niebieski
Ciemnoniebieski
Purpurowy
Fioletowy
Biały
Czarny
Rozmiar:
Minimalny
Mały
Normalny
Duży
Ogromny
Zamknij Tagi
Opcje
HTML:
TAK
BBCode
:
TAK
Uśmieszki:
TAK
Wyłącz HTML w tym poście
Wyłącz BBCode w tym poście
Wyłącz Uśmieszki w tym poście
Kod potwierdzający: *
Wszystkie czasy w strefie CET (Europa)
Skocz do:
Wybierz forum
Administracja
----------------
Tematyka forum
Ważne
Użytkownicy
----------------
Coś o nas
Nasza twórczość
Galeria
Rowling
----------------
Książki
Filmy
Serie, opowiadania
Inne
Inne
----------------
Kultura
Hyde park
Reklamy
Shoutbox
----------------
kilka informacji o shoutboxie
Przegląd tematu
Autor
Wiadomość
qau792r5i
Wysłany: Pon 2:34, 07 Mar 2011
Temat postu: Fujian Jiangle Lighting Design _led display techni
4. materials, ease of preparation and cost of high and low: Taking into account the needs of industrial development, preparation of the substrate material be simple,
display signs
, cost should not be very high. Substrate size is generally not less than 2 inches. GaN-based LED current for more substrate materials, but can be used for commercial substrates are only two, namely sapphire and silicon carbide substrate.
Others, such as GaN, Si, ZnO substrate is still in development stage, some distance away from the industry. GaN: the best substrate for GaN growth is the GaN single crystal material, can greatly improve the crystalline quality of epitaxial films and reduce the dislocation density and improve the working life of the device to improve the luminous efficiency and device operating current density. Preparation of GaN single crystal body, but very difficult, so far there has not been an effective approach.
Zinc oxide: ZnO has become a candidate for GaN epitaxial substrate,
restaurant board
, because both have very striking similarities. Both the same crystal structure, lattice identify the degree is very small, close to the band gap (the band discontinuity is small and exposure to small barrier). However,
display boards
, ZnO as the Achilles heel of GaN epitaxial GaN epitaxial growth in an atmosphere of temperature and easily decomposed,
led message sign
, and corrosion.
Currently, ZnO semiconductor material used to make optoelectronic devices still can not, or high-temperature electronic devices, mainly the material fails to reach the device level and P-type doping problem is not a real solution for the growth of ZnO-based semiconductor equipment had not been developed.
fora.pl
- załóż własne forum dyskusyjne za darmo
Powered by
phpBB
(C) 2001, 2005 phpBB Group
Theme Retred created by
JR9
for
stylerbb.net
Bearshare
Regulamin